İngilizce açılımı ferroelectric transistor random access memory olan, Türkçeye Ferroelektrik Transistörlü Rastgele Erişimli Hafıza diye çevrilebilecek FeTRAM'ler yakın gelecekte hayatımıza büyük katkı sağlayacaklar. Organik Ferroelektrik polimer ile Silikon Nano-bağlantıyı birleştiren bu yeni teknoloji, Purdue Üniversitesi'nde geliştiriliyor.

Bu araştırmanın temel amacı, düşük enerji tüketen, uzun ömürlü, veri yazma/okumaortamı oluşturmak. Zira normal şartlarda belleklerin çok sık kullanıldığı, giderek daha yüksek kapasiteye sahip belleğe ihtiyaç duyulduğu bilgilerinden yola çıkan araştırmacılar, ısınma ve kapasite sorunu gibi çözümleri son kullanıcıda pek olmayan durumları azaltmaya ve engellemeye çalışıyorlar.

Üniversiteden görevliler, basına yaptıkları tanıtımda, sunulan demonun çalıştığını ancak "ticari" bir ürünün henüz yakın zaman için planlanmadığını belirttiler